High Thermoelectric Power Factor of High-Mobility 2D Electron Gas

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

High Thermoelectric Power Factor of High‐Mobility 2D Electron Gas

Thermoelectric conversion is an energy harvesting technology that directly converts waste heat from various sources into electricity by the Seebeck effect of thermoelectric materials with a large thermopower (S), high electrical conductivity (σ), and low thermal conductivity (κ). State-of-the-art nanostructuring techniques that significantly reduce κ have realized high-performance thermoelectri...

متن کامل

emittance control in high power linacs

چکیده این پایان نامه به بررسی اثر سیم پیچ مغناطیسی و کاوه یِ خوشه گر با بسامد رادیویی بر هاله و بیرونگراییِ باریکه هایِ پیوسته و خوشه ایِ ذرات باردار در شتابدهنده های خطیِ یونی، پروتونی با جریان بالا می پردازد و راه حل هایی برای بهینه نگهداشتن این کمیتها ارایه می دهد. بیرونگرایی یکی از کمیتهای اساسی باریکه هایِ ذرات باردار در شتابدهنده ها است که تاثیر قابل توجهی بر قیمت، هزینه و کاراییِ هر شتابدهند...

High thermoelectric power factor in two-dimensional crystals of MoS2

Kedar Hippalgaonkar,1,2,3 Ying Wang,1 Yu Ye,1 Diana Y. Qiu,2,4 Hanyu Zhu,1 Yuan Wang,1,2 Joel Moore,2,4 Steven G. Louie,2,4 and Xiang Zhang1,2,* 1NSF Nano-scale Science and Engineering Center (NSEC), 3112 Etcheverry Hall, University of California, Berkeley, California 94720, USA 2Material Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory (LBNL), 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 947...

متن کامل

Degradation of GaN High Electron Mobility Transistors under High - power and High - temperature Stress

GaN HEMTs (High Electron Mobility Transistors) are promising candidates for high power and high frequency applications but their reliability needs to be established before their wide deployment can be realized. In this thesis, degradation mechanisms of GaN HEMTs under high-power and high-temperature stress have been studied. A novel technique to extract activation energy of degradation rate fro...

متن کامل

Effects of hydrostatic pressure and temperature on the AlGaN/GaN High electron mobility transistors

In this paper, drain-source current, transconductance and cutoff frequency in AlGaN/GaN high electron mobility transistors have been investigated. In order to obtain parameters of exact AlGaN/GaN high electron mobility transistors such as electron density, the wave function, band gap, polarization charge, effective mass and dielectric constant, the hydrostatic pressure and temperature effects a...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Advanced Science

سال: 2017

ISSN: 2198-3844

DOI: 10.1002/advs.201700696